- Nazwa przedmiotu:
- Fizyka
- Koordynator przedmiotu:
- prof dr hab. Rajmund Bacewicz/prof. nzw. dr hab. Małgorzata Igalson
- Status przedmiotu:
- Obowiązkowy
- Poziom kształcenia:
- Studia II stopnia
- Program:
- Mechatronika
- Grupa przedmiotów:
- Obowiązkowe
- Kod przedmiotu:
- FIZ
- Semestr nominalny:
- 2 / rok ak. 2013/2014
- Liczba punktów ECTS:
- 4
- Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
- 1) Liczba godzin bezpośrednich 49, w tym:
a) wykład - 30
b) laboratorium - 15
c) konsultacje - 2
d) kolokwia - 2
2) Praca własna studenta 60, w tym:
a) przygotowanie do kolokwiów zaliczeniowych - 40
b) opracowanie sprawozdań laboratoryjnych - 20
suma: 109 h (4 ECTS)
- Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
- 1) Liczba godzin bezpośrednich 49, w tym:
a) wykład - 30
b) laboratorium - 15
c) konsultacje - 2
d) kolokwia - 2
suma: 49 h (2 ECTS)
- Język prowadzenia zajęć:
- polski
- Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
- O charakterze praktycznym:
a) laboratorium - 15
b) opracowanie sprawozdań laboratoryjnych - 20
suma: 25 h (1 ECTS)
- Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
-
- Wykład45h
- Ćwiczenia0h
- Laboratorium0h
- Projekt0h
- Lekcje komputerowe0h
- Wymagania wstępne:
- brak
- Limit liczby studentów:
- bez limitu
- Cel przedmiotu:
- Przekazanie wiedzy na temat podstawowych praw rządzących mikroświatem i ich związku z zastosowaniami w obszarze najnowszych technologii.
Głębsze zrozumienie podstaw działania rozmaitych urządzeń półprzewodnikowych, które inżynier wykorzystuje w codziennej praktyce, ich możliwości i ograniczeń.
- Treści kształcenia:
- Podstawy fizyki współczesnej
1. Dualizm korpuskularno-falowy promieniowania i materii
2. Podstawy mechaniki kwantowej
3. Fermiony i bozony
4. Nadprzewodnictwo,
5. Podstawy fizyki jądra atomowego
6. Oddziaływania i cząstki elementarne
7. Ewolucja Wszechświata
Fizyka urządzeń półprzewodnikowych
1.Struktura pasmowa półprzewodników
2. Swobodne nośniki, dziury i elektrony, domieszkowanie
3. Złącze półprzewodnikowe, zastosowania (tranzystor złączowy, MOSFET i JFET, dioda tunelowa, dioda Zenera)
4. Generacja i rekombinacja elektronów i dziur, zastosowania (fotorezystory, detektory podczerwieni, ogniwa słoneczne, diody świecące (LED) i lasery półprzewodnikowe)
5. Ograniczenia obecnych technologii, nowe pomysły
- Metody oceny:
- kolokwia pisemne, zaliczenie laboratorium II
- Egzamin:
- nie
- Literatura:
- D. Halliday, R. Resnick „Podstawy Fizyki” t. V
H. Haken, H. Wolf „ Atomy i kwanty”
J. Hennel „Podstawy elektroniki półprzewodnikowej”
K. Sierański „Półprzewodniki i struktury półprzewodnikowe”
- Witryna www przedmiotu:
- www.if.pw.edu.pl/~bacewicz, www.if.pw.edu.pl/~igalson
- Uwagi:
Efekty uczenia się
Profil ogólnoakademicki - wiedza
- Charakterystyka FIZ_W01
- znajomość fizyki współczesnej, w szczególności w odniesieniu do mikroświata
Weryfikacja: kolokwium zaliczeniowe
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_W02
Powiązane charakterystyki obszarowe:
P7U_W, I.P7S_WG.o
- Charakterystyka FIZ_W02
- posiada głębsze zrozumienia zasad działania współczesnych przyrządów opto-elektronicznych
Weryfikacja: kolokwium pisemne
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_W02, K_W08
Powiązane charakterystyki obszarowe:
P7U_W, I.P7S_WG.o, III.P7S_WG
Profil ogólnoakademicki - umiejętności
- Charakterystyka FIZ_U01
- umiejetnośc doboru i zastosowania zaawansowanych urządzeń optoelektronicznych w projektach inżynierskich
Weryfikacja: zaliczenie laboratorium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_U14, K_U12, K_U13
Powiązane charakterystyki obszarowe:
III.P7S_UW.o, P7U_U, I.P7S_UW.o
Profil ogólnoakademicki - kompetencje społeczne
- Charakterystyka FIZ_K01
- dostrzeganie potrzeby ciągłej aktualizacji swojej wiedzy
Weryfikacja: Ocena zaangażowania w czasie zajęć praktycznych
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_K01
Powiązane charakterystyki obszarowe:
P7U_K, I.P7S_KK