- Nazwa przedmiotu:
- Materiały amorficzne i nanokrystaliczne/ Amorphous and Nanocrystalline Materials
- Koordynator przedmiotu:
- prof. dr hab. inż. Tadeusz Kulik
- Status przedmiotu:
- Obowiązkowy
- Poziom kształcenia:
- Studia II stopnia
- Program:
- Inżynieria Materiałowa
- Grupa przedmiotów:
- Kierunkowe
- Kod przedmiotu:
- MATAIN
- Semestr nominalny:
- 2 / rok ak. 2020/2021
- Liczba punktów ECTS:
- 2
- Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
- 50 godz. (wykład - 30 godz., przygotowanie do kolokwium - 20 godz.)
- Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
- 1 punkt ECTS (wykład - 30 godz.)
- Język prowadzenia zajęć:
- polski
- Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
- Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
-
- Wykład30h
- Ćwiczenia0h
- Laboratorium0h
- Projekt0h
- Lekcje komputerowe0h
- Wymagania wstępne:
- Brak wymagań wstępnych. Zalecane przypomnienie sobie kluczowych zagadnień takich przedmiotów jak: Podstawy nauki o materiałach, Metody badań właściwości i struktury materiałów.
- Limit liczby studentów:
- brak
- Cel przedmiotu:
- Przekazanie studentom wiedzy o nowoczesnych materiałach nanokrystalicznych, amorficznych, szkłach i szkłach metalicznych. Omówienie różnych metod wytwarzania, struktury i właściwości oraz zastosowania tych materiałów. Przedstawienie zagadnień skłonności do zeszklenia stopów metali oraz procesów relaksacji strukturalnej i krystalizacji szkieł metalicznych oraz ich wpływu na strukturę i właściwości.
- Treści kształcenia:
- Poruszane zagadnienia: funkcja rozkładu radialnego, modele struktury amorficznej, metody wytwarzania materiałów amorficznych, techniki szybkiego chłodzenia jako metody wytwarzania klasycznych i masywnych szkieł metalicznych, skłonność do zeszklenia stopów metali, stabilność termiczna szkieł metalicznych, mechaniczna synteza, duże odkształcenie plastyczne i krystalizacja szkieł jako metody wytwarzania materiałów nanokrystalicznych, uporządkowanie bliskiego zasięgu i relaksacja strukturalna w materiałach amorficznych, właściwości fizyczne i zastosowanie materiałów amorficznych i nanokrystalicznych.
- Metody oceny:
- Kolokwium zaliczające na koniec semestru.
- Egzamin:
- nie
- Literatura:
- 1. R. Allen, Fizyka ciał amorficznych, PWN, Warszawa 1994.
2. T. KULIK, Nanokrystaliczne materiały magnetycznie miękkie otrzymywane przez krystalizację szkieł metalicznych, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998.
3. Materiały wykładowe.
- Witryna www przedmiotu:
- brak
- Uwagi:
Efekty uczenia się
Profil ogólnoakademicki - wiedza
- Charakterystyka MAN_W1
- Zna modele struktury amorficznej
Weryfikacja: Kolokwium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
IM2_W05
Powiązane charakterystyki obszarowe:
III.P7S_WG.o, I.P7S_WG
- Charakterystyka MAN_W2
- Zna metody wytwarzania materiałów amorficznych i nanokrystalicznych
Weryfikacja: Kolokwium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
IM2_W06
Powiązane charakterystyki obszarowe:
I.P7S_WG, III.P7S_WG.o
- Charakterystyka MAN_W3
- Zna właściwości i zastosowania materiałów amorficznycjh i nanokrystalicznych
Weryfikacja: Kolokwium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
IM2_W11
Powiązane charakterystyki obszarowe:
I.P7S_WG, III.P7S_WG.o
Profil ogólnoakademicki - umiejętności
- Charakterystyka MAN_U1
- Na podstawie wiedzy nabytej w trakcie wykładu lub przeprowadzonej samodzielnie analizy fachowej literatury student potrafi scharakteryzować techniki wytwarzania stopów amorficznych i nanokrystalicznych
Weryfikacja: Kolokwium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
IM2_U01, IM2_U05, IM2_U10
Powiązane charakterystyki obszarowe:
I.P7S_UW, I.P7S_UU
- Charakterystyka MAN_U2
- Na podstawie wiedzy nabytej w trakcie wykładu lub przeprowadzonej samodzielnie analizy fachowej literatury student potrafi powiązać metodę wytwarzania stopów amorficznych i nanokrystalicznych z ich właściwościami i zastosowaniami.
Weryfikacja: Kolokwium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
IM2_U01, IM2_U05, IM2_U10
Powiązane charakterystyki obszarowe:
I.P7S_UW, I.P7S_UU