Nazwa przedmiotu:
Półprzewodnikowe Przyrządy Optoelektroniczne
Koordynator przedmiotu:
dr hab. Jan Muszalski
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia II stopnia
Program:
Fizyka Techniczna
Grupa przedmiotów:
Obowiązkowe
Kod przedmiotu:
PPO
Semestr nominalny:
2 / rok ak. 2018/2019
Liczba punktów ECTS:
2
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
Uczestniczenie w wykładach 30 godz, przygotowanie do wykładów 15 godz, przygotowanie do kolokwiów 15 godz, uczestniczenie w konsultacjach 5 godz, Razem w semestrze 65 godz, co odpowiada 2 ECTS.
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
Wykład 30 h, konsultacje 5 h Razem w semestrze 35 godzin, co odpowiada 1,5 ECTS.
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
0
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład30h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium0h
  • Projekt0h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
Znajomość podstaw mechaniki kwantowej, podstaw elektrodynamiki klasycznej, podstaw fizyki półprzewodników
Limit liczby studentów:
brak
Cel przedmiotu:
Zapoznanie studenta z podstawami fizycznymi działania półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych
Treści kształcenia:
Wykład: Warunki wzbudzenia akcji laserowej w półprzewodniku Krawędziowy Laser Półprzewodnikowy Warunek progowy, równania bilansu, analiza progowa ABC Rola obniżonej wymiarowości obszaru czynnego Wpływ naprężeń na własności emisyjne Zależności temperaturowe Falowód i zwierciadła Lasery jednomodowe Konstrukcje i zastosowania Lasery o emisji powierzchniowej Laser Dyskowy Dioda LEDE z mikrownęką Półprzewodnikowe źródła światła niekoherentnego (LED) Lasery z kaskadą kwantową
Metody oceny:
Konieczność zaliczenia dwu kolokwiów
Egzamin:
nie
Literatura:
• L. A. Coldren, S. W. Corzine M. Masanovic Diode Lasers And Photonic Integrated Circuits John Wiley & Sons, Inc 2012 • Peter Unger Introduction to Power Diode Lasers Ch1 pp 1–54 in R. Diehl (Ed.): High-Power Diode Lasers, Springer (2000) • K.F. Renk, Basics of Laser Physics, Springer 2012 • B. Mroziewicz, M. Bugajski, W.Nakwaski Lasery Półprzewodnikowe, PWN 1985 • B. Mroziewicz, M. Bugajski, W.Nakwaski, Physics of Semiconductor Lasers PWN 1991 • B. Ziętek, Lasery, Wyd. Naukowe UMK, Toruń 2009 • Marius Grundman, The Physics of Semiconductors Springer 2006
Witryna www przedmiotu:
brak
Uwagi:
brak

Efekty uczenia się