Drukuj Eksport do pliku (MS Word)
Nazwa przedmiotu:
Defekty Struktury Krystalicznej
Koordynator przedmiotu:
dr inż. Janusz Bucki, adiunkt
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia II stopnia
Program:
Inżynieria Materiałowa
Grupa przedmiotów:
Wspólny
Kod przedmiotu:
Semestr nominalny:
9 / rok ak. 2010/2011
Liczba punktów ECTS:
7
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład30h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium15h
  • Projekt0h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
Przedmioty zaliczone wcześniej: Podstawy Nauki o Materiałach z kursu inżynierskiego. Podstawowe wiadomości z przedmiotów kursu magisterskiego: Matematyka, Fizyka Ciała Stałego, Krystalografia Stosowana, Termodynamika Stopów, Przemiany Fazowe.
Limit liczby studentów:
Cel przedmiotu:
Opanowanie wiedzy w zakresie defektów struktury krystalicznej: defektów punktowych, dyslokacji oraz granic międzykrystalicznych, jak również aparatu matematycznego i metod rozwiązywania problemów dotyczących struktury i właściwości defektów oraz oddziaływania miedzy defektami. Zapoznanie studentów z rolą, jaką odgrywają defekty w kształtowaniu właściwości materiałów oraz w procesach zachodzących w materiałach.
Treści kształcenia:
Teoria elektronowa i pasmowa ciał stałych. Struktura materiałów i jej wpływ na podstawowe własności materiałów. Defekty punktowe, wpływ na właściwości. Podstawy teorii dyslokacji, właściwości sprężyste dyslokacji, dyslokacje częściowe i błędy ułożenia, reakcje pomiędzy dyslokacjami, oddziaływanie dyslokacji z defektami punktowymi, wpływ dyslokacji na właściwości materiału. Struktura i właściwości granic międzykrystalicznych, teoretyczne modele granic międzykrystalicznych, defekty strukturalne granic, oddziaływanie defektów punktowych i liniowych z granicami, sterowanie właściwościami granic międzykrystalicznych. .
Metody oceny:
Dwuczęściowy egzamin pisemny: część I po 30 godz. zajęć, część II po 15 godz. zajęć. Ocena końcowa z przedmiotu jest średnią ważoną równą 2/3 oceny części I i 1/3 oceny z części II.
Egzamin:
Literatura:
Zalecana literatura: M. W. Grabski, K. J. Kurzydłowski, Teoria dyslokacji, Wyd. PW Warszawa 1984, K.Przybyłowicz, Podstawy teoretyczne metaloznawstwa, WNT Warszawa, 1999 Literatura uzupełniająca: A. Kelly, G.W. Groves, Krystalografia i defekty kryształów, PWN Warszawa 1980, S. Mrowiec, Teoria dyfuzji w stanie stałym, PWN Warszawa 1989, K.J. Kurzydłowski, B. Ralph: The quantitative description of the microstructure of materials, CRC Press, New York 1995, K. Przybyłowicz, J. Przybyłowicz: Repetytorium z materiałoznawstwa, Cz.II, Fizyczne podstawy materiałoznawstwa, skrypt Polit. Św., Kielce 1994 Inne: materiały pomocnicze w postaci zbioru slajdów prezentowanych na wykładzie w postaci plików pdf
Witryna www przedmiotu:
Uwagi:

Efekty uczenia się